時間溫度描跡(TTP) & 時間功率描跡(TPP)：

● 加熱溫度：0℃-300℃,最高溫度：600℃;

● 預熱溫度：50~135℃獲取溫度：200℃~300℃;

● 升溫速率： 1℃/s～50℃/s;

● 退火溫度：15℃-300℃退火時間：15min;

● HV:0~-1500V 高壓穩(wěn)定性：<0.005%；

劑量數(shù)據(jù)讀取系統(tǒng)參數(shù)

● 特有的加熱模塊，鈍化加熱；半導體制冷+氣體制冷；

● 線性化：≤1%，加熱溫度穩(wěn)定性(控制精度)：±1℃;

● 劑量測量線性范圍：

10 Gy~10Gy(LiF:Mg,Cu,P) (加衰減濾光片最大可達100Gy)

10^-9Gy~300Gy(LiF:Mg,Ti-M)(敏化) 

10^-9Gy~10Gy(LiF:Mg,Ti);

● 加熱溫度偏差：≤ ±1℃；加熱時間重復性：≤0.1%;

● 重復性：1 mGy137Cs，偏差<1%;

● 可測試項目：γ、β、X 射線劑量，中子；

● 讀數(shù)器穩(wěn)定性：連續(xù)10次測量， RSD ≤ 0.1%

●系統(tǒng)長期穩(wěn)定性：同一樣品間隔8小時測量， RSD ≤ 0.1%。